NAND Flash分类
SLC(Single-Level Cell)架构：单一储存单元(Cell)可储存1bit data
MLC(Multi-Level Cell)架构：单一储存单元(Cell)可储存2bit data 
SLC
「Small page (528 Byte)、Large page (2112 Byte)」
在每个储存单元(Cell)内储存1个资讯位元(bit)，称为单阶储存单元(single-level cell, SLC)，使用这种储存单元的快闪记忆体也称为单阶储存单元快闪记忆体(SLC flash memory)，或简称SLC快闪记忆体。SLC快闪记忆体的优点是传输速度更快，功率消耗更低和储存单元的寿命更长。然而，由于每个储存单元包含的资讯较少，其每百万位元组需花费较高的成本来生产。

 
 

 

MLC
「Large page (2112 Byte)、Large page (4224 Byte)」
多阶储存单元快闪记忆体(Multi-level cell flash memory, MLC flash memory)可以在每个储存单元内储存2个以上的资讯位元 ，其「多阶」指的是电荷充电有多组电压值，如此便能储存多个位元的值于每个储存单元中。因为每个储存单元可储存更多的位元，所以MLC快闪记忆体的每单位储存成本较为低廉。早期比起SLC快闪记忆体，MLC传输速度较慢，功率消耗较高和储存单元的寿命较低为其缺点，但科技日新月异，良率问题持续改善，现今市面上的NAND Flash多数都为MLC架构。

 
 
 


 
 
 
NAND Flash 资料结构

 

 
 

NAND Flash Invalid Block 
NAND Flash 在出厂时都会作严格的测试编程，以确认每一个Block(区块、轨区)是否正常，测试不通过的Block 会被标上记号，这些Block 就叫 Initial Invalid Block(潜在的Bad Block)。这些 Initial Invalid Block的资讯很重要，不可以轻易删除，因为有些Block经过Erase后Invalid block 的资讯就会不见，这时使用者自己使用编程器或烧录器厂商都是无法再找出这些 Invalid block 。Invalid Block 的标示位置，在SLC、MLC 上会不一样需注意（厂牌不同也会有差异）。